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Agilent脉冲参数测试仪的应用特点及优势分析
发布时间:2022-08-27浏览次数:194

  和4076 DC/RF/脉冲参数测试仪安捷伦科技的Agilent 4075,65 nm技术节点)制造的器件用来检定使用高级工艺技术(如。 4075和4076通过Agilent,时测量RF特点和DC特点半导体测试工程师可以同,的多样化半导体器件需求以满足当前体积日益缩小,缘体上硅(SOI)晶体管和高介电常数(高k)器件如65 nm及更高工艺的超薄栅氧化物晶体管、绝。

  器件速度提高体积缩小和,实现新的参数测试功能日益需要在生产过程中,室中才需要这些功能而过去只有在实验。精确检定新的器件结构提供了所需的灵活性Agilent 4075和4076为,场效应晶体管)或通信应用中使用的高速半导体器件如超薄栅氧化物MOSFET(金属氧化物半导体。进的设计通过先,6支持10-ns短脉冲式IV测量Agilent 4075和407,的器件必需进行此类测量对热量或电荷异常灵敏,I晶体管和高介电常数晶体管如高速逻辑应用中使用的SO。外此,直到1 fA的超低电流测量功能Agilent 4076支持。

  70系列一样与整个40,300 mm SECS/GEM自动化协议Agilent 4075和4076支持,地的生产线中得到验证这些协议已经在世界各。是半导体行业的标准SECS/GEM,一致的界面和行为保证制造设备共享。

  容易受到电子隧道的影响现代超薄栅MOSFET。压(CV)行为特点为检定其电容和电,需超过几兆赫测量频率必。是但,频率CV (RFCV)测量技术之间相互抵触高频CV (HFCV)及实现检定必需的射频。(4294A)仪器和RFCV (ENA/PNA)仪器Agilent 4075和4076同时支持HFCV ,选择最佳方法使得用户能够,术和生产测试需求满足自己的工艺技。

  高速电容测量单元(CMU)集成到测试头中Agilent 4075和4076都把。 - 2 MHz频率范围内这一功能可以在1 kHz,常快速地进行电容测量对层间/层内氧化物非,善吞吐量从而改,试成本降低测。

  深入检定高速半导体器件的性能通信应用和高速逻辑应用要求。支持利用PNA进行RF的S参数测试功能Agilent 4075与4076皆,用VNA的解决方案相对于目前市面上使,方案可提供更高的产出速度以PNA为主的RF解决。

  进技术需要超短的脉冲测试能力诸如SOI或高k等最新的先,热量或电荷敏感效应以防止产生有害的。而然,能力却只限于测量微秒的范围生产测试系统的脉冲式测量。供短至10纳秒的超短脉冲式IV测量能力Agilent 4075与4076可提,等对热或电荷高度敏感组件的特性能有效地测量SOI或高k晶体管。

  生产测试提供了实验室测试功能Agilent 4076还为。产中精确测量各种参数高级工艺通常要求在生,(Cu)金属Van der Paw电阻如MOSFET低于门限的泄漏电流和铜。的电流和电压测量分辨率这些测量要求异常精确,才能提供这种分辨率而此前只有实验室中。华体会app官网

  短脉冲式IV测量功能都可以在整个新设计的直接对接接口上使用Agilent 4075和4076所有的RF、HFCV和超。过自动化的探针卡更换机制这种直接对接的设计可通,控制和变换探针卡让使用者轻易地,式也不会减少任何的DC针脚而且这种RF直接对接的方。

  接口的软件皆支持这些RF、HFCV和脉冲式IV测量功能诸如测量链接库和校准工具等操作简易、采用图形化使用者。

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